GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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GaNおよびAlGaN表面に対して、高温熱処理処理・プラズマ処理・絶縁膜堆積プロセスを施し、化学的特性と電気的特性との相関を詳細に評価した。それらの結果を基に、GaNおよびAlGaN表面で生じる窒素空乏のメカニズムと、ショットキー接合およびMIS接合特性に与える影響を議論した。種々のデバイスプロセス中に、GaNおよびAlGaN表面に窒素空孔に関連した表面欠陥準位(Ec-0.4 eV)が生じることが明らかになった。この欠陥準位とエネルギー的に連続分布を持つ表面準位がGaNおよびAlGaN表面の電子状態を支配し、電流コラプス等の不安定性の要因になる。また、ショットキー界面に高密度の窒素空孔関連準位が形成された場合、ポテンシャル障壁を薄くし、実効的な障壁高の低下とリーク電流の増大を引き起こすものと考えられる。
- 2003-09-26
著者
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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