Electrical Properties of Nanometer-Sized Schottky Contacts for Gate Control of III-V Single Electron Devices and Quantum Devices

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概要

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• Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
• 2001-03-01

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• Sato T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Sato Taketomo

  Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu

• HASEGAWA Hideki

  Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Integrated Quantu

• KASAI Seiya

  Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University

• Kasai Seiya

  Graduate School Of Information Science And Technology And Research Center For Integrated Quantum Ele

• Hasegawa Hideki

  Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for

• Kasai Seiya

  Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center

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