分子シミュレーションに基づくW-CVDプロセス解析
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概要
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モノシラン還元W-CVDプロセスを対象に分子軌道法を用いて表面吸着過程並びに表面反応過程を解析した。表面吸着過程解析では、吸着種赤外振動数の予測と吸着エネルギ解析より、未知ピーク同定を行った。また、表面反応過程解析では、反応中間体のエネルギ解析より、主反応経路の予測を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-28
著者
-
丸泉 琢也
日立製作所 基礎研究所
-
池川 正人
(株)目立製作所機械研究所
-
小林 伸好
日立製作所. デバイス開発センタ
-
山口 憲
(株)日立製作所中央研究所
-
山口 憲
アドバンスソフト株式会社技術第1部
-
牛尾 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
山口 憲
日立製作所中央研究所
-
牛尾 二郎
日立製作所中央研究所
-
入江 亮太郎
日立製作所中央研究所
-
竹村 佳昭
日立製作所中央研究所
-
池川 正人
日立製作所機械研究所
-
小林 伸好
日立製作所中央研究所
-
竹村 佳昭
日立製作所基礎研究所
-
牛尾 二郎
(株)日立製作所基礎研究所
-
丸泉 琢也
武蔵工業大学工学部電気電子工学科
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