次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) : 強安定収束シミュレータの開発(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本稿では次世代半導体デバイス設計に必要なシミュレータの要件を取り上げ、それらを満たすべく我々が開発をしているデバイスシミュレータについて、要件の一つであるアバランシェ増倍機構、GIDL(Gate-Induced Drain Leakage)、Double-gate SOI構造における強安定収束を中心に、その技術的手法と結果について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-06
著者
-
朱 日明
アドバンスソフト株式会社技術第1部
-
佐藤 昌宏
アドバンスソフト株式会社技術第1部
-
桜井 清吾
アドバンスソフト株式会社技術第1部
-
山口 憲
アドバンスソフト株式会社技術第1部
-
桜井 清吾
アドバンスソフト(株)
-
山口 憲
アドバンスソフト株式会社
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