有磁界マイクロ波プラズマエッチング装置の希薄流構造とエッチング生成物の排気に関する直接シミュレーションモンテカルロ法解析
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概要
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An axi-symmetrical direct simulation Monte Carlo program for analyzing rarefied gas flow in a vacuum chamber with downstream-pressure and gas-flow-rate was developed. Rarefied gas flows with radicals and etching-products in microwave-plasma etching reactors were calculated using this simulator. The results show that the flow patterns in the plasma chamber strongly depend on the Knudsen number and the gas-supply structure. The ventilation of the etching products in the plasma chamber was found to be improved for higher Knudsen numbers, and in the gas-supply structure of down-flow type compared with that of radial flow type or upward flow type.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2000-08-25
著者
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池川 正人
(株)日立製作所機械研究所
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池川 正人
(株)目立製作所機械研究所
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田中 潤一
(株)日立製作所機械研究所
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小川 芳文
(株)日立製作所電力・電機グループ笠戸半導体装置本部
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福山 良次
(株)日立製作所電力・電機グループ笠戸半導体装置本部
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臼井 建人
(株)日立製作所機械研究所
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臼井 建人
(株)日立製作所中央研究所
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