LSI銅めっき配線における埋め込み形状シミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-01-01
著者
-
小林 金也
(株)日立製作所 日立研究所
-
深田 晋一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ
-
宮崎 博史
(株)日立製作所中央研究所
-
佐野 彰洋
(株)日立製作所 日立研究所
-
赤星 晴夫
(株)日立製作所 日立研究所
-
板橋 武之
(株)日立製作所 日立研究所
-
端場 登志雄
(株)日立製作所 日立研究所
-
宮崎 博史
(株)日立製作所 半導体グループ
-
板橋 武之
株式会社日立製作所日立研究所電子材料研究部
-
板橋 武之
(株)日立製作所 基礎研究所 環境エネルギーラボ
-
赤星 晴夫
日立 日立研
-
端場 登志雄
(株)日立製作所日立研究所
関連論文
- 密度汎関数法による紫外・可視吸収スペクトルシミュレーション用ソフトウエアの開発 (シミュレーション技術特集)
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- 4p-ZG-14 DV-Xα法における電子間クーロンポテンシャル計算法の改良
- 6a-E3-9 分子軌道法におけるFock方程式の収束加速解法
- 高密度圧粉磁心を適用したクローティースモータの開発
- 車載PCB解析に向けたLSIノイズモデルの検討
- 低抵抗・低ε材料による平たん化多層配線の課題
- 高密度圧粉磁心を適用したクローティースモータの開発
- 無電解コバルト合金めっきによる銅拡散バリヤ膜の形成
- LSI銅めっき配線における埋め込み形状シミュレーション
- 有機太陽電池の現状と課題
- 選択的トレンチフィリングCuめっきによる微細配線形成
- ホルムアルデヒドフリー厚付け無電解銅めっき液
- 「エネルギーチェーン多層評価モデル」システムの開発(第2報)
- 「エネルギーチェーン多層評価モデル」評価システムの開発
- 分子軌道法による界面接着エネルギーの計算(分子動力学(MD)を応用して何ができるか)
- 屈折率差制御ポリマ光導波路による2次元スポットサイズ変換
- 分子軌道法による界面接着エネルギーの計算
- 分子軌道法による界面接着エネルギーの計算
- 分子軌道法による分子間相互作用の解析
- 協会活性化を目指して : セミナー企画の立場から
- 選択的トレンチフィリングCuめっきによる配線形成プロセス(電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
- 電解Ni/AuめっきBGA鉛フリーはんだ接合部の衝撃強度劣化メカニズムと高強度化