オンチップ高抵抗配線の高速伝送方式
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概要
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LSIの高集積化に伴い、チップサイズの増大と配線の微細化によって配線抵抗が増大し、配線抵抗による遅延時間(以下、配線遅延と略す)がLSI性能に与える影響が著しく増大している。このために、この観点から長い配線を分割し配線の中間点にバッファを挿入し高速化する方法などが報告されている。本報告では、伝送方式的にオンチップ上の高抵抗配線の配線遅延を短縮する高速伝送方式について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
斉藤 達也
日立中研
-
山下 寛樹
(株)日立製作所中央研究所
-
斎藤 達也
日立中研
-
石田 利恵子
(株)日立製作所中央研究所
-
以頭 博之
(株)日立製作所中央研究所
-
山下 寛樹
(株) 日立製作所 中央研究所
-
石田 利恵子
(株) 日立製作所 中央研究所
-
斉藤 達也
(株) 日立製作所 中央研究所
-
中西 敬一郎
(株) 日立製作所 中央研究所
-
以頭 博之
(株) 日立製作所 中央研究所
-
山下 寛樹
日立製作所中央研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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