デバイスシミュレータの収束性とSOIMOSFETフローティングボデイ効果

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概要

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デバイスシミュレーションには, 収束性の点でみても幾つかの問題が残っている. 本稿では, その問題の1つであるSOIMOSFETフローテイングボデイ効果をシミュレーションするのために5つの手法を導入し, 収束性向上を計ったテバイスシミュレータを作成したので報告する. また, 実際にこのデバイスシミュレータを用いてSOIMOSFETフローテイングボデイ効果のシミェレーションを行なった. フローティングボディ効果のシミュレーションにおいて, イオン化率の割合(衝突電離)の方程式をNewton法において線形化する事により飛躍的に収束性が向上するという結果を得た.
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-09-25

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