電池動作対応低電圧SRAM技術
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概要
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ビット級の高集積化とIV動作を同時に可能にする6-MOS構成の微細化メモリセル技術と新しい回路方式により電池動作電子機器に必須の低電圧SRAM技術を開発した。ドライバMOSのソースをセルデータの読み書きに応じて負及びフローテイング状態に制御する事により、電源電圧がわずか1Vでもビット線アクセス時間を従来の50%に、書き込み時ビット線駆動電力を従来の10%にできる。レトログレードウエルによる1μm以対Fのアイソレーション、非品質シリコン薄膜による負荷pMOSのnゲート化、及びウエットエッチングによるTiNローカル配線技術により6.93μm^2という微細メモリセルを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-19
著者
-
水野 弘之
(株)日立製作所中央研究所
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水野 弘之
株式会社日立製作所中央研究所
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南 正隆
(株)日立製作所中央研究所
-
長野 隆洋
(株)日立製作所中央研究所
-
南 正隆
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
長野 隆洋
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
-
水野 弘之
(株)日立製作所
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