167MHz 1Mbit CMOSシンクロナスキャッシュSRAM
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
167MHz 1Mbit CMOSシンクロナスキャッシュSRAMを開発した。167MHzという高速動作実現のため、0.45μmプロセスを導入し、制御部中央配置チップフロアブラン、擬似ラッチ(QL)センスアンプ及びワンショット制御(OSC)出力レジスタを開発した。また、高速なシステムの中で適切なセットアップ/ホールド時間マージンを確保するため、等価マージン(EM)設定手法を考案した。これらにより、シミュレーションにて、サイクル時間 5.79ns を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-19
著者
-
小宮路 邦広
(株)日立製作所中央研究所
-
矢幡 秀治
(株)日立製作所 半導体事業部
-
西尾 洋二
(株)日立製作所 半導体事業部
-
平石 厚
(株)日立製作所 半導体事業部
-
西尾 洋二
(株)日立製作所半導体事業部
-
豊嶋 博
(株)日立超LSIエンジニアリング
-
木下 嘉隆
(株)日立製作所、半導体事業部
-
小宮路 邦広
(株)日立製作所、半導体事業部
関連論文
- 多相PLLを用いた300MHz 4MbウェーブパイプラインCMOS SRAM
- オフセット電圧に影響されないセンスアンプを搭載した6ns 4Mb CMOS SRAM
- 12.5ns 16Mビット CMOS SRAM
- 300MHz 2Mb CMOSパイプラインバーストSRAM
- 1ビット線セルを用いた16MビットCMOS・SRAM
- 高速キャッシュSRAM用センスアンプ回路
- ビット間スキュー制御を有するシンクロナスDRAMの5GByte/sデータ伝送技術
- ビット間スキュー制御を有するシンクロナスDRAMの5GByte/sデータ伝送技術
- ビット間スキュー制御を有するシンクロナスDRAMの5GByte/sデータ伝送技術
- 167MHz 1Mbit CMOSシンクロナスキャッシュSRAM