藤井 眞治 | 半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)
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概要
関連著者
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藤井 眞治
半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)
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米田 健司
松下電子工業
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米田 健司
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
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堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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宮田 典幸
アトムテクノロジー研究体
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鳥海 明
東京大学
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宮田 典幸
次世代半導体研究センター
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宮田 典幸
半導体MIRAI-産総研ASRC
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藤井 眞治
半導体MIRAI-ASET
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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山本 和彦
松下電子工業、半導体社、プロセス開発センター
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藤井 眞治
松下電子工業、半導体社、プロセス開発センター
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井上 森雄
松下電気工業京都研究所
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藤井 眞治
松下電気工業京都研究所
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布施 玄秀
松下電気工業京都研究所
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右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
著作論文
- 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 急速熱処理したTa_2O_5/Si界面のXPS解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 陽極酸化法を用いたプロセス誘起微小欠陥観察法