米田 健司 | 松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター

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• 米田 健司

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  松下電子工業

• 久保 裕子

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• 坂本 裕樹

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• 河崎 泰宏

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• 武石 彰

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• 石長 篤

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 庭山 雅彦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 山本 和彦

  松下電子工業、半導体社、プロセス開発センター

• 藤井 眞治

  松下電子工業、半導体社、プロセス開発センター

• 藤井 眞治

  半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)

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著作論文

• MOSキャパシタの電気特性に及ぼすシリコン窒化膜の影響
• RTA処理がキャリアライフタイムに与える影響
• イオン注入による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップ
• 急速熱処理したTa_2O_5/Si界面のXPS解析(半導体Si及び関連電子材料評価)

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