MOSキャパシタの電気特性に及ぼすシリコン窒化膜の影響
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概要
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MOSキャパシタのゲート電極上に形成したシリコン窒化膜がMOSキャパシタの電気特性、とりわけP^+ゲート電極からのボロン浸みだしによるフラットバンド電圧シフトに及ぼす影響についてSi_3N_4膜の成膜条件および膜質の影響について検討した。ボロン浸みだしはSi_3N_4膜の堆積温度が高いほど、またSiH_2を含まない原料ガスでは抑制されることがわかった。Si_3N_4膜によるボロン浸みだしの促進は膜中のSi-Hから乖離した水素がゲート絶縁膜に達しボロンの拡散を促進するためと推定される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
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米田 健司
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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坂本 裕樹
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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久保 裕子
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
河崎 泰宏
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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武石 彰
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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