イオン注入による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップ
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概要
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大電流イオン注入時のイオンビームによる正のチャージアップを抑制するために、イオンビームの軌道もしくはウェハに電子が照射されるが、今回はその供給された電子による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップの挙動についての調査を行った。膜厚が5mm以下の薄膜ゲート酸化膜では、イオンビームによる正のチャージアップだけではなく、フラッドガンから供給される電子によってもチャージアップが発生する。この負のチャージアップは、フラッドガンから供給される電子の最大エネルギーに強く依存し、トータル供給量には余り強く影響されない。例えば、ゲート酸化膜が3.5nmではフラッドガンから9eVの電子が供給されると破壊が発生している。薄膜化されたゲート酸化膜では、チャージアップを抑制するために、フラッドガンから供給される電子のエネルギーを制御することが重要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
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米田 健司
松下電子工業
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米田 健司
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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久保 裕子
松下電子工業
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久保 裕子
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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庭山 雅彦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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