RTA処理がキャリアライフタイムに与える影響
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概要
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RTA処理がSiO_2/Si界面に与える影響を、少数キャリアライフタイム(MCLT)および界面準位密度の変化を調査することにより確認した。また、これらのRTA処理による影響を、窒素雰囲気もしくは水素雰囲気中での電気炉アニールにより回復できることを確認した。今後、プロセス中でRTA処理を用いる場合には、後工程でのアニールによるダメージの回復などプロセス設計上の配慮が必要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
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米田 健司
松下電子工業
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米田 健司
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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久保 裕子
松下電子工業
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久保 裕子
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
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石長 篤
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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