ジクロロエチレン添加酸化により形成したゲート酸化膜の絶縁破壊特性
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概要
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1-1-1トリクロロエタンの代替物質としてオゾン層破壊係数が1, 1000以下であるトランス1,2ジクロロエチレンをHC1の発生剤として用いたt-DCE添加酸化により形成したゲート酸化膜の絶縁破壊特性を調査した。t-DCE添加により酸化膜の絶縁破壊特性は改善され酸化前洗浄にDHF洗浄を行なった場合、最適添加量は5wt%である。t-DCE添加酸化は環境への影響を最小限にとどめながら高品質の酸化膜を形成することができ、1-1-1トリクロロエタンの代替物質として使用可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
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