熱処理におけるW汚染の電気的特性に及ぼす影響
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概要
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熱処理時のW汚染の電気的特性に及ぼす影響をMOSキャパシタおよびpn接合の特性、キャリアライフタイムにより評価した。酸化性雰囲気熱処理でのW汚染において、シリコン基板中のW汚染量は酸化膜中のW汚染量の1%以下である。酸化膜中のW汚染量が10^13>atoms, cm^2以下であればフラットバンド電圧および絶縁破壊耐圧への影響は少ない。しかし絶縁破壊電荷量はW汚染量が1×10^13>atoms/cm^2付近で急激に低下し、酸化膜中のWは信頼性に影響する。キャリアライフタイムはシリコン基板中のW汚染量が10^10>atoms/cm^2以下であっても低下するが、接合リーク特性はキャリアライフタイムが100μsec以下でなければ影響は現われない。したがって、電気的特性には酸化膜中のW汚染量が10^12>atoms/cm^2以下であればその影響は少ない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-23
著者
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