急速熱処理したTa_2O_5/Si界面のXPS解析(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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急速熱処理したTa_2O_5/Si構造をX線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy;XPS)を用いて解析した。酸素雰囲気中で、800℃、60秒のアニールを行うと、酸素がTa_2O_5膜を拡散してシリコン基板を酸化し、界面にSiO_2層が形成された。一方、窒素雰囲気でアニールを行っても界面にSiO_2膜は形成され、アニール雰囲気とTa_2O_5膜中の酸素が同時に界面酸化に寄与していることがわかった。また窒素雰囲気中でのアニールによって、タンタルのシリサイド化が顕著に生じた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
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米田 健司
松下電子工業
-
米田 健司
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
山本 和彦
松下電子工業、半導体社、プロセス開発センター
-
藤井 眞治
松下電子工業、半導体社、プロセス開発センター
-
藤井 眞治
半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)
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