陽極酸化法を用いたプロセス誘起微小欠陥観察法

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概要

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• 陽極酸化膜の形成と除去を組合せた結晶欠陥の観察方法を、シリコンデバイスの不良解析に適用した。陽極酸化時に欠陥の周辺部で酸化膜厚の増大が生じ、この酸化膜を除去することによって、凹型形状としてプロセス誘起欠陥が顕在化できる。従来の湿式エッチングによる方法に比べて、基板表面の荒れが少なく、プロセス誘起微小欠陥を敏感に検出でき、シリコンデバイスの結晶欠陥評価方法として有効である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-08-18

著者

• 井上 森雄

  松下電気工業京都研究所

• 藤井 眞治

  半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)

• 藤井 眞治

  松下電気工業京都研究所

• 布施 玄秀

  松下電気工業京都研究所

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