久保 裕子 | 松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
久保 裕子
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
米田 健司
松下電子工業
-
米田 健司
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
久保 裕子
松下電子工業
-
戸所 義博
松下電子企画部
-
戸所 義博
松下電子工業
-
坂本 裕樹
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
名村 高
松下電子工業
-
大石 博司
松下電子工業
-
河崎 泰宏
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
武石 彰
松下電器産業産業(株)半導体社 プロセス開発センター
-
石長 篤
松下電子工業(株)プロセス開発センター
-
庭山 雅彦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
著作論文
- アンテナ付MOSキャパシタによるチャージアップ電荷量の評価
- MOSキャパシタの電気特性に及ぼすシリコン窒化膜の影響
- RTA処理がキャリアライフタイムに与える影響
- イオン注入による薄膜ゲート酸化膜のチャージアップ