28a-ZH-5 平面波基底でL-S項を展開したノルム保存擬ポテンシャル法バンド計算 : GaAsにおける<001>、<111>歪効果の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
関連論文
- 13p-DC-8 水素化シリコングラスの電子状態と光学特性(III)
- 30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 25p-ZE-12 水素化シリコンクラスタの電子状態と光学特性
- 28p-PS-76 強結合近似によるYBaCuOの電子状態の計算
- 28p-APS-35 バンド計算によるYBa_2Cu_3O_x(x=6,7)の電子状態
- 28a-D-4 電子交換相互作用の非局所性を考慮した窒化ホウ素の電子状態の解析
- 擬ポテンシャル法バンド計算によるYBa_2Cu_3O_7の電子状態
- 31P-PS-15 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布 (II)
- 31a-TA-11 Si(100)表面の欠陥 : 間隙型ダイマ
- 30a-Y-4 結晶窒化ホウ素の電子構造の計算
- 3a-T-3 Si(100)面の表面再構成 III : 対称ダイマと非対称ダイマ
- 3a-T-2 Si(100)面の表面再構成 II : 新しい表面欠陥構造
- 3a-T-1 Si(100)面の表面再構成 I : 非経験的分子動力学
- 3p-ZB-7 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布
- 酸化物超電導体の電子状態と構造安定性 (超電導と応用技術)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 表面を探る : 4. 計算物理 : 表面構造を予測する分子動力学 ( 表面)
- 25p-PS-45 Si(001)表面の欠陥 : 2重欠損型ダイマ
- 24a-PS-29 非経験的分子動力学によるSi(100)表面再構成 : 吸着過程
- 3p-C-6 第一原理分子動力学-Si表面-
- 5p-E-9 非経験的分子動力学によるSi(111)2x1表面再構成計算II
- 5a-PS-24 非経験的分子動力学によるSi(111)2x1表面再構成計算I
- 3p-C-6 第一原理分子動力学 : Si表面
- 31a-TA-12 Si(100)表面の欠陥 II : 高非対称ダイマ
- Si(001)表面の分子動力学シミュレ-ション
- 28a-ZH-5 平面波基底でL-S項を展開したノルム保存擬ポテンシャル法バンド計算 : GaAsにおける、歪効果の解析
- コンピュータが創りだす非晶質半導体
- 2p-F-12 アモルファスSiの構造III
- 3a-C-12 ドーピング超格子の電気伝導特性1
- 27a-N-2 ドーピング超格子の光吸収係数の計算
- 28a-A-18 不純物超格子における温度に依存した自己無撞着なエネルギー準位の計算
- 1a-FC-1 アモルファスSiの構造IV(1a FC 半導体(アモルファス))
- 31a-PS-92 遷移金属酸化物の構造安定性の計算(31p PS 低温(酸化物超伝導))