Si-MBE成長への試料電流効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Effects of sample current on Si (001) 2×1 domain conversions and on Si-MBE growth, are investigated. It is found that diffusion anisotropy of Si adatoms on 2×1 surfaces exists and that the domain conversion velocity is proportional to the sample current. This indicates that the conversion process is induced by the diffusion anisotropy and the force acting on positively charged Si adatoms. Preferential detachment of atoms from steps to lower sides than upper ones is also found. This causes biatomic step growth during Si-MBE growth process.
- 日本結晶学会の論文
著者
関連論文
- 24aY-2 ナノメータスケールSi(001)開口部に選択成長したSi結晶のファセット形成
- 24aY-1 極薄酸化膜を用いたSi(001)上のGeの選択成長のSTM観察
- 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
- Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
- 28p-PSB-18 μ-RHEED/STMによるGa吸着Si(111)表面の観察
- 25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
- 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察
- 28p-ZF-2 μRHEED法によるSi-MBE成長の観察と制御
- 28a-ZS-8 MBE成長の計算機シミュレーション : Critical terrace width と Denuded zone
- 29p-BPS-35 Ga/Si(111)表面へのシリコンMBE成長
- 27a-ZD-2 Si(001)-2×1表面構造化機構の直接通電加熱及び輻射加熱による研究
- 2p-E-10 傍熱加熱時におけるSi(001)表面構造変化の観察
- 1p-TA-2 Si(001)表面の単原子ステップに及ぼす試料電流の効果
- 4a-T-4 Si(001)表面エレクトロマイグレーションのMicro-probeRHEED法による観察
- 4a-B4-3 Si/Si(001)表面のマイクロプローブRHEED法による観察II
- 走査型反射電子回折顕微鏡によるSiの分子線エピタキシャル成長の観察
- 30a-D-5 Si/Si(111)表面のマイクロプローブRHEED法による観察
- 1p-S-4 Micro-probe RHEED-AES法によるAl/Si(111)表面の観察
- 結晶試料用走査型反射電子回折顕微鏡
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による結晶表面の観察
- 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
- 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
- ステンレス鋼表面におけるH_2O付着確率の表面状態依存性
- 小片試料表面からの吸着性放出ガスの計測法
- 無振動クライオポンプの開発
- コンダクタンス変調法による各種ポンプの排気速度特性評価
- 表面分析講座-22完-反射高速電子線回折法
- 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
- 28p-WB-5 Ga吸着Si(111)表面のステップダイナミックスと制御
- Gaの昇温脱離現象を利用したSi(111)面上細線構造の自己組織化
- ビ-ムを用いた固体表面のキャラクタリゼ-ション--電子ビ-ムによる表面過程の原子レベル計測--研究開発に大きな役割を果たすビ-ム技術 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による表面研究
- 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
- 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
- 3a-U-10 μ-RHEED・AES装置による多結晶シリコン表面の観察
- 28a-P-5 μ-RHEED による多結晶シリコン表面の結晶面方位の決定
- 5a-BK-5 中高速反射電子回折強度のLaue表示による数値計算法
- 1a-BF-5 超高真空下での非鏡面表面試料による反射電子回折
- 9a-Z-7 一般化されたBetheポテンシャル法の反射電子回折強度計算への応用
- 9a-Z-6 非鏡面表面による反射電子回折
- 6p-H-6 一般化されたBetheポテンシャル
- 6a-H-10 反射型電子回折におけるラウエケース菊地線
- 4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプローブ反射電子回折法による表面研究