大倉 理 | 日立中研

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概要

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• 大倉 理

  日立中研

• 大倉 熈

  岡山理大工

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  岡山理大工

• 秋山 宜生

  岡山理大工

• 久禮 得男

  日立製作所中央研究所

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• 木戸 義明

  Department Of Electronic Engineering Okayama University Of Science

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• 旭 尊史

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  Department Of Electronic Engineering Okayama University Of Science

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著作論文

• 28a-J-5 ポーラスSiのピコ秒時間分解発光と直線偏光度の消失
• 27a-Z-3 ポーラスSiの青緑色発光のピコ秒時間分解分光と直線偏光度
• 29p-YN-3 ポーラスSiのピコ秒時間分解発光と直線偏光度消失 II
• 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
• 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
• 半導体A (シリコン)
• シリコンのレ-ザ-・アニ-ル(固体物理の応用)

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