Auger電子による吸収物の同定 : 表面物理, 薄膜
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
関連論文
- 6a-KE-12 オージェ電子放射顕微法と深さ分析
- 4a-B-2 走査型オージェ電子分析法 I
- 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
- 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
- 低速電子線回折とspin polarization : X線・粒子線
- 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定 : X線・粒子線
- 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定装置 : X線粒子線
- 5軸型低速電子回折計の試作 : X線粒子線
- 15a-H-4 低速電子廻折における散乱因子
- 15a-H-3 低速電子線回折におけるDebye温度のBethe potential効果
- 15a-H-2 数kV電子の結晶による回折I : 反射の半価巾
- 15a-H-1 1000eV程度の電子線を用いた回折装置の製作
- 30a-J-7 電界放射電子のエネルギー分布に現われるバンド構造の影響
- 27p-L-4 放射光X線トポグラフィ装置 I : 設計・製作・立上げと運転
- 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
- Si(111)の7×7回折像の特徴 : X線・粒子線
- LEED及びLEESによる固体表面の研究 : 表面物理, 薄膜
- 6p-L-3 CoO(001)面による低速電子線回折
- 12a-J-9 反強磁性NiOによる低速電子交換力回折強度の温度依存性
- 3a-A-9 反強磁性NiOによる交換力回折
- 3a-B-5 反強磁性NiO単結晶劈開面からの交換散乱回折
- 30p-W-6 低エネルギー電子の交換散乱・回折と NiO の磁区構造
- 6p-D-2 反強磁性体NiO結晶のLEEDによる研究
- 3a-TG-3 NiO単結晶による低エネルギー電子線の磁性回折
- 27p-L-8 放射光X線トポグラフィ装置 V : その他のトポグラフィ
- 2a-PS-39 2次電子のスピン状態検出による磁区観察
- 29a-L-10 電子スピン偏極率測定用Mott検出器の試作
- 28a-P-4 低速電子線のスピン状態分析用Mott検出器の試作
- 第2回固体表面国際会議
- 30p-N-9 多素子SSDによる吸収端の温度効果による回折強度変化の検出
- 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
- 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
- 3a-U-10 μ-RHEED・AES装置による多結晶シリコン表面の観察
- 28a-P-5 μ-RHEED による多結晶シリコン表面の結晶面方位の決定
- 5a-BK-5 中高速反射電子回折強度のLaue表示による数値計算法
- 1a-BF-5 超高真空下での非鏡面表面試料による反射電子回折
- 9a-Z-7 一般化されたBetheポテンシャル法の反射電子回折強度計算への応用
- 9a-Z-6 非鏡面表面による反射電子回折
- 6p-H-6 一般化されたBetheポテンシャル
- 6a-H-10 反射型電子回折におけるラウエケース菊地線
- 4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
- 5a-G-3 低速電子回折に観察される菊池線・Diffuse Spotのエネルギー損失
- 15a-H-5 低速電子回折における菊池線
- 8p-N-9 鉄ウィスカーの電子顕微鏡による観察
- 24a-N-6 LEED回折強度測定とその解釈
- 24a-N-2 反射回折(RHEED)における菊池像
- 3a-E-8 100〜500eV領域の電子線回折強度曲線の特徴
- 3a-TG-2 低エネルギー電子回折強度測定法
- 9p-N-3 NiO単結晶可劈開面による低速電子線の回折
- 9p-N-2 低速及び高速電子線回折における共鳴回折現象
- 電子線回折強度の測定 : X線・粒子線
- 電子線回折強度の測定I : X線粒子線
- 29a-L-5 表面析出物による屈折率の変化 (RHEED)
- 30p-M-8 結晶表面が低次指数格子面に平行でない試料による反射電子回折(II)
- 4p-NR-5 試料表面が低指数格子面に平行でない単結晶試料による反射電子回折
- 1a-N-7 シリコン単結晶表面による反射電子回折 (II)
- 3a-U-9 シリコン単結晶表面による反射電子回折
- 3p-E-13 NiO単結晶がコンプトン・プロフィルとその異方性
- 4p-NR-6 非対称カット表面からの反射電子回折強度計算
- 15a-H-10 超高電圧における反射電子回折像の特徴等
- 7a-E-3 低速電子回折における菊地線とdiffuse pattern
- 6a-E-10 電子線の回折条件に伴うX線放射強度の異常
- 低速電子線回折の進歩
- 低速電子回折の一般的性質 : X線粒子線シンポジウム
- 結晶による低速電子回折の性質 : 粒子線・X線
- 低速電子回折装置の製作 : 粒子線・X線
- 最近のオージェ電子スペクトロスコピーの話題
- 2a-KK-5 吸収端を交差した回折強度の温度依存性(ラウエケース)II
- 11p-T-9 吸収端を交差した回折強度の温度依存性(ラウエケース)
- 低エネルギー電子回折による結晶表面の研究
- 超強力X線源とその応用
- 円筒型オージェ電子分析計によるSiおよびSiO2上におけるNaの挙動の観察
- 4p-A-3 反射電子回折法による顕微像の形成
- 軟X線励起による光電子分光
- 4p-A-2 低速電子回折における菊池パターン
- 3p-TD-8 金属ウイスカー発機構の電子顕微鏡による観察
- 1a-BF-4 RHEEDによるSi(111)面分数次輝点の回折強度測定
- 高分解能電子エネルギー分析法の吸着研究への応用 : 表面物理, 薄膜
- Auger電子による吸収物の同定 : 表面物理, 薄膜
- 中速・低速電子回折
- 1a-PS-26 磁区観察用偏極走査電顕の高分解能化(1p PS 磁性ポスターセッション(人工格子・強磁場・Laves相・磁気測定))