前北 和晃 | 金沢大学大学院自然科学研究科
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概要
関連著者
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丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
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飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
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前北 和晃
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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霜鳥 敏之
金沢大学大学院自然科学研究科
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
著作論文
- CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価