(100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
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概要
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GaAs表面のUV & オゾンによる酸化、窒素プラズマによる窒化、これらの組み合わせによる酸窒化の効果をTEM,XPS,ホトルミネッセンス、電気特性の観点から調べた。裸のGaAs表面をプラズマ窒化すると表面の特性は劣化する。GaAsの酸化では形成される酸化膜中にAsが残るが、これを窒化するとAsが抜けて窒素が侵入し、より良い緻密な膜になる。電気特性、ホトルミネッセンス共に、酸窒化は遥かに良好な結果を示している。また、酸化によるダメージも続けて行われる窒化によって回復する結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-25
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
ポール ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ポール ナラヤン
金沢大学大学院自然科学研究科
-
猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
手塚 大介
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ナラヤン・チャンドラ ポール
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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