MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Si光導波路を用いたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の位相制御器は、一般的に熱光学効果を用いているが、消費電力が大きいという問題が生じている。そこで光スイッチ素子の位相制御器として、MEMS位相制御器を提案する。MEMS位相制御器はエアブリッジ導波路を備えており、電圧印加により導波路をたわませることで導波路長を伸張させるしくみを持つ。構造上、定常電流が流れないため、低消費電力化が期待できる。MEMS位相制御器の動作について、平行平板電極モデルを用いて解析を行った。この解析により、電圧100Vで1段当たり70nmの伸張が可能となり、7段縦続することで光スイッチングが可能となることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-12
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
稲本 慎
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
稲本 慎
金沢大学理工研究域
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
関連論文
- (190)創成科目「電気電子システム設計」「自主課題研究」の取組み(セッション55 創成教育VIII)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- Agイオン交換法によるEr/Yb共ドープ光導波路型光増幅器の作製とその光増幅特性
- 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- 第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
- ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- ED2000-99 カルコゲン元素が吸着したGaAs(100)表面の電子状態解析
- ブリルアン/エルビウム光ファイバレーザの構成と発振特性
- ブリルアン / エルビウム光ファイバレーザの発振特性
- C-3-26 VCSELを用いた高分解能FMCWセンシングシステム(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 18pTA-4 ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP単一量子細線の低温発光分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 方形波重畳三角波変調による半導体レーザの線形光周波数掃引とそのFMCWリフレクトメトリへの応用
- 方形波重畳三角波変調による半導体レーザの線形光周波数掃引とそのFMCWリフレクトメトリへの応用
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 波長可変周波数シフト帰還型光ファイバレーザによる光ファイバの波長分散測定
- 周波数シフト帰還型光ファイバレーザによる光ファイバの群速度分散測定
- コヒーレントOFDRによるErドープ光ファイバ増幅器の利得分布測定
- 外部共振器レーザを用いた光ファイバ診断用FMCWリフレクトメトリ
- ED2000-97 Schottky/MIS境界領域における接合の電流電圧特性
- 最大エントロピーを用いた高分解能FMCWリフレクトメトリ(第2報)
- 電界イオン交換法によるErドープガラス光導波路の作製
- 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 同期サンプリングFMCWリフレクトメトリの測定可能距離延長
- アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 非晶質PETを用いた低損失有機光導波路(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価
- Si/SiO_2曲線方向性結合器を用いた結合特性の波長依存性低減(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))