飯山 宏一 | 金沢大学大学院自然科学研究科
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概要
関連著者
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飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
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飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
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飯山 宏一
金沢大学理工研究域
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飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
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高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
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高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
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高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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ポール ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科
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武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
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ポール ナラヤン
金沢大学大学院自然科学研究科
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ナラヤン・チャンドラ ポール
金沢大学大学院 自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学理工研究域
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武部 正英
金沢大学大学院 自然科学研究科
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猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
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中村 一樹
金沢大学大学院自然科学研究科
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為頭 美斗子
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
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瀬戸 大樹
金沢大学大学院自然科学研究科
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手塚 大介
金沢大学大学院自然科学研究科
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稲本 慎
金沢大学大学院自然科学研究科
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近田 康夫
金沢大学大学院自然科学研究科
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千木 昌人
金沢大学大学院自然科学研究科
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
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大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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飯山 宏一
金沢大学工学部電気情報工学科
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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山村 要一
金沢大学大学院自然科学研究科
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飯山 宏一
金沢大学工学部
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藤農 佑樹
金沢大学大学院自然科学研究科
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宮村 悟史
金沢大学大学院自然科学研究科
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葛西 悠葵
金沢大学大学院自然科学研究科
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大平 圭介
北陸先端科学技術大学院
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稲本 慎
金沢大学理工研究域
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乙坂 英志
金沢大学大学院自然科学研究科
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大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学
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江渕 真伍
金沢大学大学院自然科学研究科
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新田 晃平
金沢大学大学院自然科学研究科高分子材料物性研究室
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児玉 昭雄
金沢大学大学院自然科学研究科 システム創成科学専攻
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森本 章治
金沢大学大学院自然科学研究科
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米沢 保人
石川県工業試験場
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日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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日坂 隆行
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高宮 三郎
金沢大学工学部
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戸塚 正裕
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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ナラヤン チャンドラ・ポール
金沢大学大学院自然科学研究科
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奈須野 雅明
金沢大学大学院自然科学研究科
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ポーノレ ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
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浅井 覚詞
金沢大学大学院自然科学研究科
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若島 誠寛
金沢大学大学院
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藤田 政之
金沢大学大学院自然科学研究科
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チャンドラ ポール
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
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相原 育貴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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出村 文宏
金沢エンジニアリングシステムズ(株)
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鄭 太雄
金沢大学大学院自然科学研究科
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高本 與志夫
金沢大学大学院自然科学研究科
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ポール ナラヤ・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
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芦田 順也
金沢大学大学院自然科学研究科
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東嶺 孝一
北陸先端科学技術大学院大学
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大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大学
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ナラヤン・チャンドテ ポール
金沢大学大学院自然科学研究科
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宮村 悟史
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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猪熊 孝夫
金沢大学工学部電気電子システム工学科
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北 幸宏
金沢大学大学院自然科学研究科
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児玉 昭雄
金沢大学
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相原 育貴
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松井 慎一郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報工学専攻
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小林 琢央
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報工学専攻
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新田 晃平
金沢大学大学院 自然科学研究科
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大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大
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近田 康夫
金沢大学工学部土木建設工学科
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稲本 慎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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河原 健志
金沢大学大学院自然科学研究科
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ポール ナラヤン
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
李 根
金沢大学大学院自然科学研究科
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橋本 康典
金沢大学大学院自然科学研究科
-
鄭 太雄
金沢大学大学院 自然科学研究科
著作論文
- (190)創成科目「電気電子システム設計」「自主課題研究」の取組み(セッション55 創成教育VIII)
- 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- 第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
- ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係
- MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- C-3-26 VCSELを用いた高分解能FMCWセンシングシステム(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)