マイクロ波FET増幅器における相互変調歪みのバイアス回路依存性モデルの検討
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概要
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本報告は、マイクロ波のFET増幅器に近接する複数の周波数の信号を入力した場合に, 信号の差周波数に対する回路のインピーダンス (特に, バイアス回路のインピーダンス) によって, 歪み特性が変化する現象に関するモデルの検討結果である。差周波数に対するインピーダンスの違いによって, FETのI-V特性上において、差周波数で変化するバイアス点の移動の方向が異なると考え, 歪み特性の違いについて考察した. 回路インピーダンスとひずみの優劣の関係が, FETのバイアス状態によっては, 従来報告されていた傾向と異なる場合もあることを示した. また, 上記のバイアス点の移動を考慮して, シングルキャリアのAM-AM, AM-PM特性を測定し, その測定の結果を元にIM3を計算して, 測定結果と比較しモデルの妥当性を検証した.
- 1997-09-26
著者
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