マイクロ波FET増幅器におけるバイアス回路と相互変調歪みとの関係に関する一検討
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概要
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マイクロ波帯のFET増幅器において, バイアス回路の電源インピーダンス(Zb)によって, 相互変調歪み(IM), 隣接チャンネル漏洩電力(ACP)などが変化することが知られている. 本報告では, 上記の現象がFETの増幅電力の変動によってFETのバイアス点が移動するというモデルを考え, シングルキャリアでの入出力位相(AM-AM, AM-PM)特性の測定値から計算したIM 特性と実測値を比較しモデルの妥当性を検証した. また, FETのバイアス条件によっては, 電源インピーダンスと歪み特性の関係が, 従来報告されている傾向と異なるとの実験結果を示し, これについても上記のモデルで説明できることを示す.
- 1997-08-13
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