C-2-36 APAA 用 MMIC 増幅器の利得ばらつきについての検討
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
-
高RF出力PDアレイモジュール(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
-
C-14-11 RF光伝送用高出力PDアレーモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
-
2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
-
C-14-13 高出力RF伝送用PDのB級動作(C-14. マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
-
C-14-6 RF光伝送用高出力PDの相互変調歪特性(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
-
C-14-2 高出力RF伝送用W級出力PDアレー(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
-
C-2-46 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型高調波抑圧フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
-
C-14-1 RF光伝送用高出力PD(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
-
CS-3-3 アクティブフェーズドアレー用Ku帯小型表面実装モジュール(CS-3. 超高速・高周波デバイス・回路・モジュールのための高密度Jisso技術, エレクトロニクス1)
-
C-2-23 温度特性を考慮したFETモデルを用いたAPAA用高周波モジュールシミュレーション
-
C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
-
補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
-
C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
-
ソースインダクタ装荷多段雑音整合増幅器のソースインダクタ値の決定法及びKa帯低雑音MMIC増幅器への応用
-
C-2-39 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
-
C-2-44 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ka帯低雑音低反射MMIC増幅器
-
C-2-4 利得平坦化プリマッチ回路を用いたK帯2W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
C-2-30 非対称形状の電力合成器を用いた5GHz帯10W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
-
FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
-
FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ)(「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
-
C-2-17 Ku 帯 MMIC 電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討
-
C-2-16 ドレインバイアス共通化 Ku 帯 MMIC 電力増幅器
-
高RF出力PDアレイモジュール
-
高調波抑圧形集中定数90度ハイブリッド(マイクロ波,ミリ波)
-
C-14-11 高出力RF伝送用PDの出力電力測定結果(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
-
C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討
-
C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
-
CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
-
C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変低雑音増幅器
-
C-2-29 ソースインダクタ装荷形多段低雑音増幅器のソースインダクタ値決定法の検討
-
C-2-28 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変MMIC増幅器の雑音特性
-
帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
-
FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
-
FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
-
C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
-
ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
-
C-2-20 電荷保存則を考慮したFET大信号モデルの検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
-
C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
高RF出力PDアレイモジュール(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
-
広帯域高効率C帯内部整合FET
-
広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
-
広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
-
C-2-39 広帯域高効率 C 帯内部整合 FET
-
C-2-25 中間段高インピーダンス型整合回路による増幅器の広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-28 L帯広帯域E級GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
温度特性を考慮した大信号モデルを用いたKu帯15W高効率内部整合FET
-
C-2-47 直列共振を用いた高調波抑圧形集中定数90°ハイブリッド(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
-
C-2-43 VHF帯高調波抑圧形集中定数ウィルキンソン電力分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
-
VHF帯高調波抑圧形集中定数電力分配器(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
-
VHF帯高調波抑圧形集中定数電力分配器(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
-
C-2-40 Ku 帯高効率高出力内部整合 FET
-
Ka帯6W MMIC電力増幅器
-
Ka帯6W MMIC電力増幅器(ミリ波技術,一般)
-
GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
-
GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
-
Ka帯6W MMIC電力増幅器
-
C-2-4 Ka帯6W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
マルチ給電分配回路を用いたKa帯5W MMIC電力増幅器
-
C-2-11 Yパラメータ行列式を用いたマイクロ波増幅器の発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
C-2-21 低出力時の消費電力低減を図ったゲート電圧制御回路内蔵K帯MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
-
C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル (特集 高周波・光デバイス)
-
C-2-3 W-CDMAマルチ出力モード対応経路切り替え高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-36 APAA 用 MMIC 増幅器の利得ばらつきについての検討
-
C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
-
小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
-
並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 (マイクロ波)
-
C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
-
C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
-
並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク