携帯電話用0.1cc送信電力増幅モジュール (特集 光・マイクロ波デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 三菱電機エンジニアリングの論文

著者

• 中本 隆博

  三菱電機株式会社

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 片山 秀昭

  三菱電機株式会社

• 片山 秀昭

  三菱電機

関連論文

• インバータ結合型直列共振回路からなる通過帯域幅が一定のマイクロ波可変帯域通過フィルタ(マイクロ波シミュレータ,マイクロ波シミュレータ/一般)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
• C-2-46 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型高調波抑圧フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-10-18 Ku帯用高出力内部整合型Hetero-structure FET(C-10.電子デバイス)
• HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
• C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• C-2-33 次世代移動体通信基地局用3-way 200W LDMOSドハティ増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
• C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
• C-2-36 F級及び逆F級HBT電力増幅器におけるIM3解析(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• F級及び逆F級高周波増幅器の効率に関する研究(マイクロ波,ミリ波)
• C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
• C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-100 右手/左手系並列線路の反共振現象とそのフィルタ応用(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 帯域通過/遮断切替回路を有する増幅器における帯域切替効果の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• CI-1-7 ミリ波ブロードバンド通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
• X帯14W高効率内部整合HFET(マイクロ波,超伝導)
• X帯14W高効率内部整合HFET(マイクロ波,超伝導)
• C-2-40 X帯14W高効率内部整合HFET(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
• Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
• Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
• Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
• 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
• 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
• CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-36 ダイオード検波形歪み補償バイアス回路を用いた低歪み電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-28 オープン/ショート切替スタブを有する帯域切替形広帯域低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-25 負帰還回路を用いた経踏切替形利得切替増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-30 直列線路装荷ショートスタブ形出力整合回路を用いたX帯広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 1.75GHz高出力MOSFETの高効率化
• C-2-25 中間段高インピーダンス型整合回路による増幅器の広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-23 2.5GHz帯移動体通信端末用広帯域電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-46 直列接続MIM構造ショートスタブによる60GHz帯電力増幅器の帯域外利得低減(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
• C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-2 高効率高電圧動作バランス型カスコードFET(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-2-8 F級及び逆F級増幅器を合成したDoherty増幅器の設計・試作(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• 1.9GHz帯低電圧動作・高効率SAGFET
• ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-57 X-Ku帯反射型可変帯域阻止フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-32 MICで構成された並列ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 反射波注入法による周波数可変増幅器に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• Ku帯VSAT用高出力GaAsFET (特集 光・高周波デバイス)
• 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-2-9 高調波負荷整合回路付きKa帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
• 動作電圧範囲の広いSCFL-DCFLレベルシフト回路の検討
• C-10-2 RF 負荷線測定による SiGeHBT の最大動作領域解析
• 携帯電話用0.1cc送信電力増幅モジュール (特集 光・マイクロ波デバイス)
• C-2-69 方形薄膜抵抗を用いたポスト壁導波路無反射終端器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-9 HBT電力増幅器におけるアナログ方式***電流制御の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
• フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク