26pYH-14 GaN/Sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
横井 裕之
熊大自然
-
渡邉 純二
熊本大工
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
黒田 規敬
熊大院自然
-
横井 裕之
産総研
-
北山 琢也
熊本大工
-
西 洋平
熊本大工
-
佐伯 和也
熊本大工
-
横井 裕之
熊本大工
-
黒田 規敬
熊本大工
-
石川 博康
名工大極微セ
-
江川 孝志
名工大極微セ
-
佐伯 和也
神戸大院工
関連論文
- 21pGQ-7 大型一巻きコイル法によるPFO単層カーボンナノチューブ超強磁場光吸収スペクトル(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
- ナノサイズカーボン粒子を含有するプラズマ溶射膜の摩擦特性(トライボロジ, 一般)
- 18aRJ-6 単層カーボンナノチューブヘのガス吸着に対するFT-IRによる研究(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 30p-W-5 n型及びp型3C-SiCの超強磁場下遠赤外磁気光吸収
- 27a-M-15 n型及びp型の3C-SiCの超強磁場下の遠赤外磁気光吸収
- 20pTH-8 変調ドープ n-CdTe/(Cd, Mg, Mn)Te 量子井戸における磁気ルミネッセンスの微細構造
- 30pYH-9 変調ドープ n-CdTe/(Cd, Mg, Mn) Te 量子井戸におけるν∿1 近傍の PL スペクトル異常
- 8a-E-8 CdTe/Cd_Mn_xTe単一量子井戸中の励起子スピン状態に対する圧力効果III
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 液体ベンゼンの超音波分解反応 -四塩化炭素添加による炭素微粒子の生成-
- 植物の発芽過程への勾配磁場効果
- 植物成長への勾配磁場効果
- 植物の発芽過程への勾配磁場効果
- 拡散現象に対する磁場効果
- 強磁場中液面形状変化に対する雰囲気ガスの影響 (生体磁気・磁場効果)
- 29p-R-10 CdTe/Cd_Mn_xTe単一量子井戸中の励起子スピン状態に対する圧力効果 II
- 酸素ガスに対する磁場効果 I : 磁場中における酸素ガス圧力上昇の測定
- 磁場中における酸素ガスの自由エネルギーと平衡
- 磁場下における酸素溶解過程の観測
- 強磁場中液面形状変化に対する雰囲気ガスの影響
- ほぼ非磁性の物質を用いたプロセスに対する磁場効果
- レールガン溶射における被膜形成機構
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- 電磁加速プラズマ溶射法により作成されたアルミナ皮膜の構造と機械的特性
- 電磁加速プラズマ溶射法により形成されたB_4C皮膜の構造と機械的特性
- 電磁加速プラズマ溶射法による窒化ホウ素皮膜の形成
- ガス中蒸発法によるフラーレン合成に及ぼす自然対流の効果 2: 微小重力実験
- ガス中蒸発法によるフラーレン合成に及ぼす自然対流の効果 1: 数値解析
- 18aYH-5 CdTe/(Cd, Mg, Mn)Te量子井戸中2次元電子系の磁気光特性
- 電磁加速プラズマ溶射によるB_4C被膜の形成
- 電磁加速プラズマ溶射法により形成された炭化ホウ素皮膜の評価
- 27pTC-2 強磁場におけるCd Te/(Cd, Mg, Mn)Te量子井戸中2次元電子ガスのフォトルミネッセンス異常
- 電磁加速プラズマ溶射装置の開発とセラミックス溶射皮膜の評価
- 29p-ZE-7 CdTe/(Cd, Mn)Te量子井戸における磁場誘起Type I-type II 転移に対する圧力効果
- CdTe/CdMnTe量子井戸構造中自由励起子の磁気光発光に対する静水圧効果
- High Magnetic Field Photoluminescence Study of Pressure Effect on Spin Exchange Interaction in a CdTe/Cd_Mn_xTe Single Quantum Well Structure
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 30aYH-8 単層カーボンナノチューブの超強磁場下近赤外光吸収(30aYH ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 25pWB-12 高分散単層カーボンナノチューブ膜の超強磁場下光吸収特性V(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRC-3 高分散単層カーボンナノチューブ膜の超強磁場下光吸収特性IV(ナノチューブ(光物性・成長),領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pZB-9 MBE成長Zn_Mg_xO/ZnO/sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 19aRJ-12 高分散単層カーボンナノチューブ膜の超強磁場下光吸収特性III(ナノチューブ・光物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pYB-10 高分散単層カーボンナノチューブ膜の超強磁場下光吸収特性II(24pYB ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aUA-6 高分散単層カーボンナノチューブ膜の超強磁場下光吸収特性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
- カーボンナノチューブ構造体形態制御に対する磁場応用 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 19pYF-6 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性III(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-4 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性II(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYH-14 GaN/Sapphireの斜入射ヘテロ残留線反射(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 泡形態に対する強磁場効果 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 28p-W-4 超強磁場におけるp型ダイヤモンドのサイクロトロン共鳴 III
- 28p-D-4 超強磁場におけるp型ダイヤモンドのサイクロトロン共鳴II
- 27p-M-9 超強磁場におけるp型ダイヤモンドのサイクロトロン共鳴
- 27p-M-7 超強磁場におけるn型及びp型InPの量子サイクロトロン共鳴
- 23aTA-4 SiC の折り返し LO フォノンによる偏光減衰全反射とポリタイプ依存性
- 28pZH-2 赤外近接場法による 6H-, 4H-SiC 単結晶の Fuchs-Kliewer フォノンの観測
- 28pZH-2 赤外近接場法による 6H-, 4H-SiC 単結晶の Fuchs-Kliewer フォノンの観測
- 鏡面化ダイシング技術によるGaN半導体レーザ共振器端面の形成
- 13aWF-10 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 30aZP-3 ミセル化単層カーボンナノチューブの磁場配向と光吸収特性(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- ガスパフZピンチプラズマの発光特性と材料改質への応用
- 大電流発生用の磁束濃縮型爆薬発電機に関する研究
- 小型ベロ-型爆薬駆動式磁束濃縮装置によるパルス超強磁場の発生
- 強磁場・高圧下でのCdTe/Cd_Mn_xTe単一量子井戸中の励起子自由磁気ポーラロンの安定性
- CdTe/Cd_Mn_xTe単一量子井戸中の励起子励起子スピン状態に対する高圧効果
- 磁場による非磁性液体の表面・界面形状制御 -増強モーゼ効果の観測とその機構-
- レ-ルガンを用いる材料プロセッシング
- 永久磁石による非磁性液体界面形状制御
- 磁場による液体形状の変形
- 永久磁石による2液体間の界面形状制御
- 磁場による非磁性液体の表面・界面形状制御 モーゼ・逆モーゼ効果と増強モーゼ効果
- 31p-YG-3 モーゼ効果及び逆モーゼ効果の観測とその機構