Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析
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概要
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MOCVD法によりドロップレットエピタキシー法を用いて成長したSi基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの諸特性について研究を行いました。また、通常の量子井戸レーザーの特性との比較も行いました。研究したSi基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーは、高い微分利得係数β(1.65cm/A)そして、低い反転分布電流密度J_0(424A/cm^2)を示しました。このレーザーの特性温度T_0は230Kと量子井戸レーザーのものより高いものでした。これらの結果から、Si上の自己形成GaAsアイランドレーザーの信頼性は量子井戸レーザーより改善されていました。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
著者
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