窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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今回我々は、GaNへの高効率な正孔輸送を目的とした新p型窒化物材料を提案する。これは、アクセプタ添加したAlNへ電子親和力の低いV族元素を同時添加することで、価電子帯上方に局在バンドを形成し、そこに正孔を生成するものである。そして燐あるいは少量の砒素をAlNに添加することで、GaNの価電子帯上端と等エネルギー位置に局在バンドが形成可能であり、そしてGaNへ効率よく正孔を注入可能であることを第一原理計算によって示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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