電気化学的手法によるInPポーラス構造の形成と応用
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概要
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電気化学プロセスにより形成したInPポーラス構造を微細構造形成時のテンプレートとして応用するため、プロセス条件による形状制御性について調べた。その結果から、孔の大きさや周期とポーラス層の深さを形成電圧と反応時間によって制御可能であることを示した。さらに、InPポーラステンプレートヘInGaAsをMBE成長し、縦型InGaAs細線を目指したInGaAs埋め込み構造の形成を行った。断面SEM像による構造評価から、InGaAsが直径及び深さ50nm程度埋め込まれていることを確認した。また、PL法の光学的評価によって埋め込み部分からと思われる発光を観測した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-21
著者
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