パルスモード電気化学プロセスによる化合物半導体へのナノショットキー接触の形成と評価
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概要
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電気化学プロセスと電子ビーム(EB)リソグラフィを組み合わせた独自のプロセスで、ナノメーターサイズのショットキー接触を形成することに成功した。最適なパルス条件を用いた電気化学プロセスでは、平均粒径26nmの均一なPt微粒子が自己形成的にn-InP表面に生成し、その時、最も高い障壁高さ(0.86eV)が得られた。このパルス条件を用いて、EBリソグラフィを施したInA1As基板上に、きのこ型Ptゲート電極を作製することに成功した。さらに、周期的な円形パターンを用いることで、直径30nmのPtドットアレイを選択的に形成することに成功した。また、導電性プローブを有する原子間力顕微鏡(AFM)を用いた電気的許価の結果、単一のPtドットに対しショットキー障壁が形成していることが明らかとなった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-22
著者
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