電気化学プロセスによるInP系化合物半導体のショットキー障壁高の制御とその機構
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概要
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In-situ電気化学プロセスによる新しいショットキー障壁形成技術を用い, n形InP系化合物半導体に対し, ショットキー障壁の制御を試みた. Pt/n-InP, Pt/n-InAl As, Pt/n-InGaAsショットキー接合において, それぞれ0.86eV, 0.50eV, 0.89eVの極めて高い障壁を実現することができた.金属堆積の初期過程および界面構造の詳細な評価より, ダメージフリー・ストレスフリーの制御された接合界面が, 電気化学プロセスにより形成されていることが明かとなった. この電気化学プロセスによるショットキー障壁の制御機構は, MIGSモデルでは説明できず, DIGSモデルに基づくフェルミ準位ピンニングの緩和により説明できることを指摘した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-14
著者
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