In-situ電気化学プロセスによるInP系化合物半導体への高いショットキー障壁形成
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概要
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In-situ電気化学プロセスによる新しいショットキー障壁形成技術を用い、n形InP系化合物半導体に対しPt-ショットキー障壁の形成を試みた。作製したショットキーダイオードの電気的特性、接合界面-表面の評価にはI-V法、C-V法、DLTS法、AFMを用いた。電気化学プロセスを用いて作製したショットキーダイオードの障壁高さは、n-InP、n-In_<0.53>Ga_<0.47>Asおよびn-In_<0.52>Al_<0.48>Asに対して、それぞれ0.89eV、0.50eV、0.89eVと、EB 蒸着法に比べてはるかに高い障壁が得られた。このようなショットキー障壁増大のメカニズムは、DIGSモデルにより説明できる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
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