開発事例 パワーデバイス応用に向けたSiC単結晶膜のエピタキシャル成長 (特集 最新 薄膜形成技術と用途展開)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Mo を用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiC結晶成長と欠陥評価
- SiC基板表面の平坦化技術
- 縦型反応炉を用いた厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
- 開発事例 パワーデバイス応用に向けたSiC単結晶膜のエピタキシャル成長 (特集 最新 薄膜形成技術と用途展開)
- 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
- SiC結晶成長法の動向と展望--エピタキシャル成長について (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
- 4H‐SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
- 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術(SiCの現状と今後の展開)
- 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術