鎌田 功穂 | 電力中央研究所
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概要
関連著者
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鎌田 功穂
電力中央研究所
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土田 秀一
電力中央研究所
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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長野 正裕
電力中央研究所材料科学研究所
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泉 邦和
電力中央研究所
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直本 保
電力中央研究所
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泉 邦和
電力中研
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田沼 良平
電力中央研究所材料科学研究所
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伊藤 雅彦
電力中央研究所材料科学研究所
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長野 正裕
電力中央研究所 材料科学研究所
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伊藤 雅彦
電力中央研究所 材料科学研究所
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宮澤 哲哉
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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中村 智宣
電力中央研究所
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三柳 俊之
電力中央研究所
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三柳 俊之
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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中村 智宣
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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土田 秀一
電力中央研究所材料科学研究所
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鎌田 功穂
電力中央研究所材料科学研究所
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宮澤 哲哉
電力中央研究所材料科学研究所
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宮津 哲哉
電力中央研究所 材料科学研究所
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鎌田 功穂
電力中央研究所 材料科学研究所
著作論文
- Mo を用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード
- SiC基板表面の平坦化技術
- 縦型反応炉を用いた厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
- 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
- 4H‐SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
- 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術(SiCの現状と今後の展開)
- 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術