鎌田 功穂 | 財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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概要
関連著者
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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直本 保
電力中央研究所
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泉 邦和
電力中研
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鎌田 功穂
電力中央研究所
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土田 秀一
電力中央研究所
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三柳 俊之
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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鎌田 功穂
電力中研
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土田 秀一
電力中研
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泉 邦和
電力中央研究所
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中村 智宣
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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直本 保
電力中研
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長野 正裕
電力中央研究所材料科学研究所
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辻 崇
富士電機総研
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菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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中村 智宣
電力中央研究所
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三柳 俊之
電力中央研究所
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中山 浩二
関西電力(株)電力技術研究所
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石井 竜介
関西電力(株)電力技術研究所
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菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
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石井 竜介
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所 プロジェクト研究室
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俵 武志
財団法人電力中央研究所
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和泉 俊介
財団法人電力中央研究所
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泉 邦和
財団法人電力中央研究所
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藤澤 広幸
富士電機総研
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荻野 慎次
富士電機総研
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石井 竜介
関西電力(株)
著作論文
- Mo を用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード
- 4H-SiC pinダイオードの順方向電圧劣化特性と高耐圧少劣化(000-1)C面4H-SiC pinダイオード
- SiC単結晶膜中欠陥の高分解能非破壊観察法の開発
- 高電圧炭化ケイ素(SiC)pnダイオードのプロセス技術の開発--通電劣化抑制手法の基礎検討と高電圧SiC pnダイオードの試作
- 縦型ホットウォール炉における低マイクロパイプ密度・厚膜4H-SiCエピタキシャル成長(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 新しい結晶成長技術化学気相たい積法によるSiCエピタキシャル成長における大型らせん転位の分解
- 高速成長4H-SiCエピタキシャル単結晶膜を用いた高電圧ショットキーダイオードの開発
- 縦型輻射加熱式VPE装置による厚膜・低キャリヤ濃度4H-SiCエピタキシャル成長
- 縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性 (シリコンカーバイド素子)
- SiC基板表面の平坦化技術
- 縦型輻射加熱式反応炉による厚膜4H-SiCエピタキシャル膜のモフォロジー (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (結晶成長)
- 縦型反応炉を用いた厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
- 厚膜SiC単結晶成長ならびにSiC表面吸着質・酸化物評価に関する研究
- 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- 大容量SiCパワー半導体素子に向けたエピタキシャル結晶成長技術の開発--低マイクロパイプ密度,厚膜・高純度4H-SiCエピタキシャル単結晶膜の形成
- 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動