縦型輻射加熱式VPE装置による厚膜・低キャリヤ濃度4H-SiCエピタキシャル成長
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概要
著者
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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直本 保
電力中央研究所
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泉 邦和
電力中研
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鎌田 功穂
電力中研
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土田 秀一
電力中研
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直本 保
電力中研
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