縦型ホットウォール炉における低マイクロパイプ密度・厚膜4H-SiCエピタキシャル成長(<特集>ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
縦型ホットウォール炉を用いて4H-SiCエピタキシャル成長を行い,マイクロパイプ密度の低減,並びに厚膜・低ドーピング濃度のエピタキシャル層の形成を試みた.マイクロパイプ密度の低減は,基板中のマイクロパイプを複数の1cらせん転位に分解することにより達成した.マイクロパイプの分解・閉塞は,エピタキシャル成長時の原料ガス流量比(C/Si比)によって制御が可能で,比較的低いC/Si比において99.6%までの高いマイクロパイプ閉塞率を得た.次に,マイクロパイプの閉塞後に,比較的高いC/Si比において低ドーピング濃度層を連続的に成長し,マイクロパイプ密度が低減された厚膜の4H-SiCエピタキシャル層を得た.これらのマイクロパイプの閉塞技術,並びに厚膜・低ドーピング濃度エピタキシャル層の形成技術を適用した直径11.2mmφの大面積ショットキーバリヤダイオード(SBD),並びに耐電圧14.4kVの高電圧SBDの電気的特性の評価結果を併せて報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
-
俵 武志
財団法人電力中央研究所
-
鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
-
泉 邦和
電力中研
-
和泉 俊介
財団法人電力中央研究所
-
泉 邦和
財団法人電力中央研究所
関連論文
- Mo を用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード
- 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
- 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
- 大容量自励式交直変換器用変圧器の鉄心モデルの試作・試験
- 高性能交直変換器の開発
- 4H-SiC pinダイオードの順方向電圧劣化特性と高耐圧少劣化(000-1)C面4H-SiC pinダイオード
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 屋外絶縁用シリコーンゴム/フッ素系高分子ブレンドの表面特性
- 避雷器の性能評価試験法の動向
- 154 kV 系統用がいし形避雷器の人工汚損試験による素子の温度上昇の検討
- 275kV系統用避雷器の人工汚損試験による素子の温度上昇
- SiC結晶成長と欠陥評価
- SiC単結晶膜中欠陥の高分解能非破壊観察法の開発
- 高電圧炭化ケイ素(SiC)pnダイオードのプロセス技術の開発--通電劣化抑制手法の基礎検討と高電圧SiC pnダイオードの試作
- 縦型ホットウォール炉における低マイクロパイプ密度・厚膜4H-SiCエピタキシャル成長(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 新しい結晶成長技術化学気相たい積法によるSiCエピタキシャル成長における大型らせん転位の分解
- 高速成長4H-SiCエピタキシャル単結晶膜を用いた高電圧ショットキーダイオードの開発
- 縦型輻射加熱式VPE装置による厚膜・低キャリヤ濃度4H-SiCエピタキシャル成長
- 縦型CVD炉における4H-SiCエピタキシャル層の成長と電気特性 (シリコンカーバイド素子)
- SiC基板表面の平坦化技術
- 縦型輻射加熱式反応炉による厚膜4H-SiCエピタキシャル膜のモフォロジー (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (結晶成長)
- 縦型反応炉を用いた厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
- 厚膜SiC単結晶成長ならびにSiC表面吸着質・酸化物評価に関する研究
- 高分子がいしならびに同がいしを適用した154kV用絶縁アームの汚損絶縁特性
- 154kV用耐張形高分子絶縁アームの機械的特性
- 高分子がいし用引き留め型FRPコアの開発
- 架空送電線コンパクト化のための高分子がいしの開発動向と今後の課題
- 200℃級流体熱源を利用した熱電発電システムの発電特性の検討
- 200℃ 級流体熱源に適用した熱電発電システムの実験的検討
- 避雷器の変遷
- 動的接触角測定によるシリコーンゴムの短時間撥水性挙動の解明
- RTVシリコーンゴムにおける可動性成分の分子量分布と撥水性回復速度の関係
- 物理化学的特性から見たシリコーンゴム外被の経年劣化
- 出発原料に酸化物超微粒子を用いたZnOおよび(Zn_Al_)O熱電材料の微細構造と熱電特性
- シリコーンゴムの表面撥水性と低分子挙動
- 屋外用高分子絶縁材の電力機器への適用動向
- 屋外絶縁用シリコーンゴムの劣化評価と撥水性回復特性
- 高性能交直変換器の開発
- 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- 大容量SiCパワー半導体素子に向けたエピタキシャル結晶成長技術の開発--低マイクロパイプ密度,厚膜・高純度4H-SiCエピタキシャル単結晶膜の形成
- 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
- 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術(SiCの現状と今後の展開)