超厚膜4H-SiCエピタキシャル成長と欠陥低減 (特集 いよいよ本格化するSiCパワー半導体技術の普及 : 省エネルギーの切り札) -- (結晶・プロセス)

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概要

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著者

• 宮澤 哲哉

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

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