中村 美道 | 東大工:科技団crest

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• 渡邉 聡

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• 近藤 優樹

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• 合田 義弘

  東大院理

• 渡邉 聡

  東京大学大学院工学系研究科

• 中村 淳

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• 合田 義弘

  東大工

• 中村 美道

  独立行政法人 物質・材料研究機構 計算材料科学研究センター

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• 渡邉 聡

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 渡邉 聡

  Takasaki Advanced Radiation Research Institute Japan Atomic Energy Agency

• 渡辺 一之

  東理大理:jst-crest

• 渡邉 聡

  東京大学大学院工学研究科

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著作論文

• Si(111)√×√-Ag表面の原子揺らぎとSTM像
• 27pYQ-3 Si(111)-(√×√)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
• 24pPSA-20 Si(111)√×√表面の構造秩序化 : 第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション
• 24aPS-1 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算
• 25pPSB-33 Si(111)√×√-Ag表面構造に与える表面欠陥の影響(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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