青野 正和 | 理研:阪大工:科技団
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概要
関連著者
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青野 正和
理研:阪大工:科技団
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塚田 捷
東大理
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青野 正和
新技団青野プロジェクト
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青野 正和
理研
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渡邉 聡
東大院工
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東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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渡邊 聡
東大院工
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渡邉 聡
新技団青野プロジェクト
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東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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筑波大学物理工学系
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東京大学理学部物理学科
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東京大学理学部
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東大理
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新技団青野プロジェクト
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新技団
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東大理:crest
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Tsukada Mineharu
Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory
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沢村 誠
新技団
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青野 正和
新技団 青野プロジェクト
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青野 正和
新技団, 理研
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澤村 誠
新技団青野プロジェクト
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塚田 捷
東大物理
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沢村 誠
新技団,青野プロジェクト
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青野 正和
新技団,青野プロジェクト 理研
著作論文
- 30a-H-3 Si(111)√3×√3-Bi表面のSTM像の理論計算
- 28a-Y-3 Si(111)√×√-Sbおよび-Bi表面のSTM像の理論計算
- 30p-ZF-6 STM像における探針の傾きの影響
- 30a-ZD-4 Si(111)?×?-Ag表面のSTM像の理論計算
- 14a-DJ-1 低速イオンと表面との相互作用2
- 30a-E-6 低速イオンと表面との相互作用
- 28pYQ-4 原子細線の伝導チャネル
- 25aTA-8 金属原子細線の電気伝導
- 30p-Q-4 原子架橋の電気伝導の第一原理計算
- 25p-YM-5 原子架橋の透過チャンネルの理論計算
- 3p-Q-2 STM探針を用いた原子操作のメカニズム
- 28a-WC-2 Molecular Orbital Theory for Atom Manipulation
- 27p-PSA-33 負バイアス表面からの電界脱離の分子軌道論
- 29p-BPS-42 負バイアス表面からのイオン脱離のメカニズム