超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-01-20
著者
-
Thompson S.
Suvolta Inc.
-
藤田 和司
富士通セミコンダクター株式会社
-
鳥居 泰伸
富士通セミコンダクター株式会社
-
堀 充明
富士通セミコンダクター株式会社
-
王 純志
富士通セミコンダクター株式会社
-
Shifren L.
SuVolta Inc.
-
Ranade P.
SuVolta Inc.
-
中川 雅樹
富士通セミコンダクター株式会社
-
岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
-
三宅 利紀
富士通セミコンダクター株式会社
-
大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
-
蔵前 正樹
富士通セミコンダクター株式会社
-
森 年史
富士通セミコンダクター株式会社
-
鶴田 智也
富士通セミコンダクター株式会社
-
江間 泰示
富士通セミコンダクター株式会社
関連論文
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング