β-FeSi_2の1.55μm発光増強(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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β-FeSi_2の1.55μmでの発光増強を目指してアニール条件を検討した.600℃でのプレアニールと800℃でのポストアニール(2ステップアニール法)で形成したβ-FeSi_2の発光は従来に比べて大幅に増強した.ラザフォード後方散乱分光法と断面SEM観察から, プレアニールではFe原子の顕著な表面偏析によってβ-FeSi_2層が表面に形成され, 消光の主な原因である注入損傷層と空間的に分離されることが発光増強の原因であることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
寺井 慶和
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
寺井 慶和
大阪大学大学院工学研究科
-
前田 佳均
京都大学大学院エネルギー科学研究科
-
安藤 裕一郎
京都大学大学院エネルギー科学研究科
-
今井 章文
京都大学大学院エネルギー科学研究科
-
秋山 賢輔
神奈川県産業技術総合研究所
-
秋山 賢輔
神奈川産技センター
-
秋山 賢輔
神奈川県産業技術センター
-
秋山 賢輔
神奈川県産技セ
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