26pKA-10 収差補正HRTEMを用いた3C-SiC/Si(001)界面における積層欠陥の解析(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2013-08-26

著者

• 山崎 順

  名大エコ研

• 田中 信夫

  名大エコ研

• 稲元 伸

  名大院工

• 秋山 賢輔

  神奈川県産業技術センター

• 平林 康男

  神奈川県産技セ

• 石田 篤志

  名大院工

• 野村 優貴

  名大院工

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